霍尔效应rh大约多少
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霍尔效应rh大约163.25ol 。当电流垂直于外磁场通过半导体时 , 载流子发生偏转 , 垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场 , 从而在半导体的两端产生电势差 , 这一现象就是霍尔效应 。
科学上把单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度 , 简称电流 , 电流符号为I , 单位是安培(A) , 简称“安”(安德烈·玛丽·安培 , 1775年—1836年 , 法国物理学家、化学家 , 在电磁作用方面的研究成就卓著 , 对数学和物理也有贡献 。电流的国际单位安培即以其姓氏命名) 。
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霍尔效应rh怎么求公式求出 。霍尔系数RH的公式:Rh=UdIB , U为霍尔电压 , 单位mv , d为霍尔元件厚度 , 单位为μm , 为工作电流 , 单位为mA , B为磁场强度 , 单位为T 。公式求出 。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内 , 且有电流通过时 , 导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边 , 继而产生电压霍尔电压的现象 。
实验室霍尔系数大小一般为4.62KGS/A , 表示的为B/Is的大小 。
霍尔效应(Hall effect)是指当固体导体放置在一个磁场内 , 且有电流通过时 , 导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边 , 继而产生电压(霍尔电压)的现象 。
电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力 。通过霍尔电压的极性 , 可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所造成 。霍尔效应中霍尔元件的灵敏度与霍尔元件的厚度和载流子的浓度两个因素有关
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扩展资料
由于通电导线周围存在磁场 , 其大小和导线中的电流成正比 , 故可以利用霍尔元件测量出磁场 , 就可确定导线电流的大小 。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器 。其优点是不和被测电路发生电接触 , 不影响被测电路 , 不消耗被测电源的功率 , 特别适合于大电流传感 。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中 , 则在该元件中将产生电流I , 元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比 , 如果再测出该电磁场的磁场强度 , 则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定 。
霍尔效应迁移率一般为多少霍尔效应迁移率RH=μ*ρ 。根据查询相关资料信息在磁场不太强时 , 霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比 , 与霍尔片的厚度δ成反比 , 即UH=RH*I*B/δ , 式中的RH称为霍尔系数 , 它表示霍尔效应的强弱 。另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积 。
霍尔系数一般多大(m^3/C)霍尔系数一般为4.62KGS/A , 表示的为B/Is的大小 。
UH称为霍尔电势 , 其大小可表示为:UH=RH*IC*B/d(1)式中 , RH称为霍尔系数 , 它的单位是米的三次方每库仑 , 由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度,IC 为电流 , B为磁场强度 。
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简介
通过霍尔电压的极性 , 可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所造成 。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔(Edwin Herbert Hall)发现 。
除导体外 , 半导体也能产生霍尔效应 , 而且半导体的霍尔效应要强于导体 。
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